Zeer thermische geleidbaarheid Aln Aluminium Nitride Ring / pakking / Onderlegring

• Application: Aerospace, Electronics, Medical, Refractory, Industrial Ceramic
• Type: Ceramic Rings
• mechanische sterkte: 450 mpa
• grootte: aangepast
• kleur: grijs
• ruwheid van het oppervlak: 0.3-0.5
• Model NR.: Aluminum Nitride Ceramic Ring
• warmtegeleiding: meer dan 170 w/mk
• verwerkingsservice: lassen, snijden, vormen
• dichtheid: ≥3.33
• chemische duurzaamheid: 0.97
• Flexureal Strength: 382.7 MPa
• wielvlucht: ≤2%
• Transportpakket: Carton Packing
• Specificatie: aangepast
• Handelsmerk: INNOVACERA
• Oorsprong: Fujian, China

Beschrijving

Hoge thermische geleidbaarheid ALN Aluminium Nitride Ring / pakking / Onderlegring

Het aluminium nitride (ALN) keramiek heeft een hoge thermische geleidbaarheid (5-10 keer als het alumina keramiek), laag

diëlektrische constante- en dissipatiefactor, goede isolatie en uitstekende mechanische eigenschappen, niet-giftig,

Hoge thermische weerstand, chemische weerstand en de lineaire uitzettingscoëfficiënt zijn vergelijkbaar met Si, wat is

veel gebruikt in communicatiecomponenten, led met hoog vermogen, elektronische apparaten met hoog vermogen en andere

Fields.Special spec producten kunnen op verzoek worden geproduceerd.

 

PRODUCTPRESTATIES

- Hoge thermische geleidbaarheid, hoge flexurale sterkte, hoge temperatuur
- goede elektrische isolatie - lage diëlektrische constante en verlies
- in staat om lasergeboord, gemetalliseerd, geplateerd en gesoldeerd te worden

Productkenmerken

1.uniforme microstructuur
2.Hoge thermische geleidbaarheid* (70-180 WM-1K-1), op maat gemaakt door verwerkingsomstandigheden en additieven
3.Hoge elektrische weerstand
4.thermische uitzettingscoëfficiënt die dicht bij die van Silicon ligt
5.weerstand tegen corrosie en erosie
Uitstekende thermische schokbestendigheid
7.chemisch stabiel tot 980°C in H2- en CO2-atmosferen, en in lucht tot 1380°C (oppervlakteoxidatie

Treedt op bij 780°C; de oppervlaktelaag beschermt het bulk tot 1380°C).

 

Toepassing

 

 

 

 

- RF / Microwave componenten

- vermogensmodule

- Power Transformers

- High Power LED-pakket

 

 

- Laser diode sub-mounts

- LED Chip-subbevestiging

- Microelectronische pakketten

- transistors
 

- Hoge thermische geleidbaarheid substraten

Voor LED en Power Electronics

- Substraten voor Power Electronics

 

Materiaaleigenschappen van aluminium nitride-substraat/wafer
Inhoud van eigendommen	Index van eigenschappen
Dichtheid (g/cm³)	3.335
Weerstand tegen thermische schokken	Geen barsten
Warmtegeleidbaarheid (30, W/m.k)	≥170
Lineaire expansiecoëfficiënt (/, 5/min, 20-300)	2.805×10­6
Flexural Strength (MPa)	382.7
Volumeweerstand (ohm.cm)	1.4×1014
Diëlektrische constante (1 MHz)	8.56
Chemische duurzaamheid (mg/cm²)	0.97
Diëlektrische sterkte (KV/mm)	18.45
Oppervlakteruwheid Ra (μm)	0.3-0.5
Wielvlucht (lengte‰)	≤2‰
Uiterlijk/kleur	Dicht/donkergrijs
Opmerking: De algemene kenmerken van de hierboven beschreven materialen zijn afgeleid van laboratoriumtests die Innovacera van tijd tot tijd heeft uitgevoerd op monsterhoeveelheden. De werkelijke kenmerken van productiepartijen kunnen variëren.

STUUR MIJ

Als u geïnteresseerd bent in onze producten, klik dan hier om mij een vraag te sturen. Ik zal u binnen 8 uur antwoorden