Innovacera Aln/Aluminium Nitride substraat/plaat/plaat/plaat/chip voor Power Electronics

• Applicatie: Ruimtevaart, Elektronica, Medisch, Industrial Ceramic
• Type: Ceramic Plates
• druksterkte: 2300
• volumeweerstand: 0.515*10^14
• flexural-sterkte: 538 MPa
• maximale gebruikstemperatuur: 1600
• Model NR.: Customization
• lineaire thermische uitzettingscoëfficiënt: 2.9*10^-6/ºC
• waterabsorptie: 0
• warmtegeleiding: 176.3W/M.K
• verwerkingsservice: vormen
• dichtheid: 3,3 g/cm3
• Transportpakket: Standard Exported Paper Cartons with Foam
• Handelsmerk: INNOVACERA
• Oorsprong: Fujian, China
• Productiecapaciteit: 100000 Piece/Pieces Per Month

Beschrijving

Aluminium nitride-substraat/plaat/plaat/plaat/chip

 

Het aluminium nitride (ALN) keramiek heeft een hoge thermische geleidbaarheid (5-10 keer als het alumina keramiek), laag

 

diëlektrische constante- en dissipatiefactor, goede isolatie en uitstekende mechanische eigenschappen, niet-giftig,

 

Hoge thermische weerstand, chemische weerstand en de lineaire uitzettingscoëfficiënt zijn vergelijkbaar met Si, wat is

 

veel gebruikt in communicatiecomponenten, led met hoog vermogen, elektronische apparaten met hoog vermogen en andere

 

Fields.Special spec producten kunnen op verzoek worden geproduceerd.

 

 

PRODUCTPRESTATIES

- Hoge thermische geleidbaarheid, hoge flexurale sterkte, hoge temperatuur

- goede elektrische isolatie

- lage diëlektrische constante en verlies

- in staat om lasergeboord, gemetalliseerd, geplateerd en gesoldeerd te worden

 

Reguliere afmetingen van ALN-substraat/wafer

Dikte (mm)

Lengte*Breedte (mm)

0.385

2″* 2” 50.8*50.8 mm

3″* 3″ 76.2*76,2 mm

4″* 4″ 101.6*101,6 mm

4.5″* 4.5″ 114.3*114,3 mm

0.5

0.635

1.0

Diameter (mm)

1.0

Φ16 Φ19

Φ20 Φ26

Φ30 Φ35

Φ40 Φ45

Φ50 Φ52

Φ60

Φ75

Φ80

PS: Andere dimensies die niet in de lijst staan, zijn beschikbaar op je verzoek.

 

Productkenmerken

 

1.uniforme microstructuur

2.Hoge thermische geleidbaarheid* (70-180 WM-1K-1), op maat gemaakt door verwerkingsomstandigheden en additieven

3.Hoge elektrische weerstand

4.thermische uitzettingscoëfficiënt die dicht bij die van Silicon ligt

5.weerstand tegen corrosie en erosie

Uitstekende thermische schokbestendigheid

7.chemisch stabiel tot 980°C in H2- en CO2-atmosferen, en in lucht tot 1380°C (oppervlakteoxidatie

 

Treedt op bij 780°C; de oppervlaktelaag beschermt het bulk tot 1380°C).

 

 

Toepassing

 

 

 

 

 

- RF / Microwave componenten

- vermogensmodule

- Power Transformers

- High Power LED-pakket

 

 

 

 

- Laser diode sub-mounts

- LED Chip-subbevestiging

- Microelectronische pakketten

- transistors

 

 

 

 

- Hoge thermische geleidbaarheid substraten

 

Voor LED en Power Electronics

 

- Substraten voor Power Electronics

 

Materiaaleigenschappen van aluminium nitride-substraat/wafer
Inhoud van eigendommen	Index van eigenschappen
Dichtheid (g/cm³)	3.335
Weerstand tegen thermische schokken	Geen barsten
Warmtegeleidbaarheid (30, W/m.k)	≥170
Lineaire expansiecoëfficiënt (/, 5/min, 20-300)	2.805×10­6
Flexural Strength (MPa)	382.7
Volumeweerstand (ohm.cm)	1.4×1014
Diëlektrische constante (1 MHz)	8.56
Chemische duurzaamheid (mg/cm²)	0.97
Diëlektrische sterkte (KV/mm)	18.45
Oppervlakteruwheid Ra (μm)	0.3-0.5
Wielvlucht (lengte‰)	≤2‰
Uiterlijk/kleur	Dicht/donkergrijs
Opmerking: De algemene kenmerken van de hierboven beschreven materialen zijn afgeleid van laboratoriumtests die Innovacera van tijd tot tijd heeft uitgevoerd op monsterhoeveelheden. De werkelijke kenmerken van productiepartijen kunnen variëren.

STUUR MIJ

Als u geïnteresseerd bent in onze producten, klik dan hier om mij een vraag te sturen. Ik zal u binnen 8 uur antwoorden