Fabrikant 24 gaas zwarte siliciumcarbide voor halfgeleider materialen

• Maatwerk: Beschikbaar
• Natuurlijke Schurende Type: Natuurlijk korund
• Kunstmatige Schurende Type: Silicon Carbide Schurende
• Model NR.: siliciumcarbide
• Toepassing: Elektronische
• Functie: Oppervlak Ontbramen
• Bron: Kunstmatige Abrasives
• Deeltjesgrootte: Schurende
• Hardheid: Superschuurmiddel
• sic: 98%
• fe2o3: 0.6%
• vorm: poeder
• de vrije koolstof: 0.2%
• bulkdichtheid: 1.42 ~ 1.50 g/cm3
• monster: gratis
• kleur: zwart/groen
• materiaal: kwarts zandkar
• verhouding: 3,85 g/cm3
• korrelgroottes van schuurpapier: 12-220#
• pakkettype: 25 kg pvc kleine zakken in een 1 mt grote zak of als je r
• h2o%: <0.5
• productnaam: siliciumcarbide
• levering: zee
• Transportpakket: volgens de eisen van klanten
• Specificatie: volgens de eisen van klanten
• Handelsmerk: n.v.t.
• Oorsprong: China
• Productiecapaciteit: 30000 ton

Beschrijving

Productbeschrijving

 

Black Silicon Carbide wordt voornamelijk gemaakt van kwartszand, petroleumcokes, gesmoleld door boven2500°Cin de elektrische oven. De hardheid ligt tussen korund en diamant. De hardheid is superieur aan korund, het heeft de functie van geleidbaarheid en thermische geleidbaarheid. Het is geschikt voor het verwerken van metalen en niet-metalen materialen, zoals grijs gietijzer, non-ferrometaal, steen, leer, rubber, en verder. Het wordt ook veel gebruikt in vuurvaste stoffen, metallurgische additieven.
Vanwege de zeldzaamheid van natuurlijke moissaniet is het meeste siliciumcarbide synthetisch. Het wordt gebruikt als een schurend middel, en meer recent als een halfgeleider en diamant simulatiemiddel van edelsteenkwaliteit. Het eenvoudigste productieproces is het combineren van silica zand en koolstof in een Acheson grafietoven met elektrische weerstand bij een hoge temperatuur, tussen 1,600 °C (2,910 °F) en 2,500 °C (4,530 °F). Fijne SiO2-deeltjes in plantaardig materiaal (bijv. rijstkorven) kunnen worden omgezet in SiC door de overtollige koolstof van het organische materiaal te verhitten. De silica-damp, die een bijproduct is van de productie van siliciummetaal en ferrosiliciumlegeringen, kan ook worden omgezet in SiC door te verwarmen met grafiet bij 1,500 °C (2,730 °F)
Synthetische SiC-kristallen met een diameter van ~3 mm.
Synthetische SiC Lely kristallen
Het materiaal dat in de Acheson-oven wordt gevormd, varieert in zuiverheid, afhankelijk van de afstand tot de warmtebron van de grafietweerstand. Kleurloze, lichtgele en groene kristallen hebben de hoogste zuiverheid en worden het dichtst bij de weerstand aangetroffen. De kleur verandert in blauw en zwart op grotere afstand van de weerstand, en deze donkerdere kristallen zijn minder zuiver. Stikstof en aluminium zijn veel voorkomende onzuiverheden en beïnvloeden de elektrische geleidbaarheid van SiC.
Zuiver siliciumcarbide kan worden gemaakt door het zogenaamde Lely-proces, waarbij SiC-poeder wordt gesublimeerd tot soorten silicium, koolstof, siliciumdicarbide (SiC2) met hoge temperatuur; En disilicocarbide (Si2C) in een argongassenomgeving bij 2500 °C en opnieuw afgezet in enkele kristallen die lijken op vlokken, tot 2×2 cm groot, op een iets kouder substraat. Dit proces levert hoogwaardige enkelvoudige kristallen op, meestal van 6H-SiC-fase (vanwege de hoge groeitemperatuur). Een gewijzigd Lely-proces waarbij inductieverwarming in grafietkroezen wordt gebruikt, levert nog grotere enkelvoudige kristallen van 10 cm in diameter op, Met een sectie die 81 maal groter is dan het conventionele Lely-proces.kubieke SiC wordt gewoonlijk gekweekt door het duurdere proces van chemische dampafzetting (CVD).Homoepitaxiale en heteroepitaxiale SiC-lagen kunnen worden gekweekt met zowel gas- als vloeistoffasebenaderingen.Pure siliciumcarbide kan ook worden bereid door de thermische afbraak van een polymeer, poly(methylsilyne), onder een inerte atmosfeer bij lage temperaturen. In vergelijking met het CVD-proces is de pyrolyse-methode voordelig omdat het polymeer in verschillende vormen kan worden gevormd voordat het in het keramisch materiaal wordt thermisch verwerkt.

Productspecificaties

 

Naam	Specificatie	Kleur	Zuiverheid
Siliciumcarbide SiC-poeder	500 nm	zwart	>99%
SIC-poeder 500 nm	1 um	zwart	>99%
SIC-poeder 500 nm CAS 409-21-2 prijs	2~5um	zwart	>99%

 

	F24	F36	F60	F80	F120	F180	F220
SIC	98.48	98.46	98.6	98.6	98.5	98.5	98.5
Fe2O3	0.32	0.31	0.28	0.32	0.26	0.31	0.33
F.C.	0.16	0.16	0.16	0.16	0.16	0.16	0.16

 

Grof grit	20	15	9	22	15	5.6	9
Basaal grit	49	65	67	63	49	59.4	72
Gemengd grit	76.5	84	90.2	77	82.5	81.4	88.5
Fijn gruis	0.3	0.1	0.3	0.5	0.4	0.5

	F320	F400	F600	F800	F1000	F1200
SIC	98.5	98	97.55	97	97.24	97
Fe2O3	0.4	0.4	0.36	0.4	0.25	0.4
F.C.	0.4	0.4	0.4	0.4	0.4	0.4

 

ds3	49	32	19	14	10	7
ds50	29.2±1.5	17.3±1.0	9.3±1.0	6.5±1.0	4.5±0.8	3.0±0.5
ds95	16.5	8	3	2	1	1 (80%)

 

Catalogus met apparatuur	Hoeveelheid	Catalogus met apparatuur	Hoeveelheid
16,500 watt raffinageoven	3	„stermodel” breker	15
22,500 watt raffinageoven	1	Raymond molen	2
Kaakbreker	6	Ultrasoon ziften	20
Geïnduceerde trekkogelmolen	2	Reinigingstank voor zuren/basen	60
Luchtstroomclassificeerder	15	Magnetische scheider	8

Beschikbare korrelgrootte (P, F)
P-SERIE: P24, P30, P36, P40, P50, P60, P80, P100, P120, P150, P180, P220, P240, P280, P320, P360, P400, P500, P600, P800, P1000, P1200, P1500, P2000, P2500, P3000
F-SERIE: F14, F16, F22, F24, F30, F36, F40, F46, F54, F60, F70, F80, F90, F100, F120, F150, F180, F220, F230, F240, F280, F320, F360, F400, F500, F600, F800, F1000, F1200

 

Gedetailleerde foto's

 

 

Toepassing

 

 

Verpakking en verzending

 

Verpakking en levering van producten:

1) 25 kg/plastic geweven zak en 40 zakken/houten pallet.
2) 20 kg/papieren zak en 50 zakken/houten pallet.
3) 1mt/bulkzak
4) aangepaste verpakking
De bovenstaande hoeveelheid zonder pallet zal de goederen binnen 7 tot 15 dagen na ontvangst van uw bestelling worden verzonden.