Basis Informatie.
Beschrijving
Indium fosfide wafer
Indium fosfide (InP) is een belangrijk compound halfgeleider materiaal met de voordelen van hoge elektronische limiet drift snelheid, goede stralingsweerstand en goede thermische geleidbaarheid. De materialen zijn zeer geschikt voor de productie van hoogfrequente, hoge snelheid, hoogvermogen microgolfapparatuur en geïntegreerde circuits. Het wordt veel gebruikt in solid-state verlichting, microgolfcommunicatie, glasvezelcommunicatie, zonnecellen, geleiding/navigatie, satelliet, en andere civiele gebieden.
Fysieke eigenschappen van indium fosfide wafer
Materiaal | Inb |
---|
Groeimethode | LEC,VCZ/P-LEC , VGF, VB |
---|
Rooster (A) | a=5.869 |
---|
Structuur | M3 |
---|
Smeltpunt | 1600 ºC |
---|
Dichtheid (g/cm3) | 4.79 g/cm3 |
---|
Gedoped materiaal | Niet onderdoend S-doped Zn-dooped FE-dooped |
---|
Type | N N P N |
---|
Draaggolffreerconcentratie (cm-3) | (0.4-2) x 1016 (0.8-3) x 1018 (4-6) x 1018 (0.6-2) x 1018 107-108 |
---|
Mobiliteit (cm2v-1s-1) | (3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103 70-90 ≥2000 |
---|
EPD (gemiddeld) | <5 x 104/cm2 3 x 104/cm2 2 x 103/cm2 2 x 104/cm2 3 x 104/cm2 |
---|
Specificaties van de wafer voor indium fosfide
Grootte | 10 x 10 x 0,35 mm, 10 x 5 x 0,35 mm, 2'' dia, 3' dia, 4' dia (aangepaste formaten zijn beschikbaar) |
---|
Dikte | 0.35 mm, 0.6 mm |
---|
Gepolijst | SSP of DSP |
---|
Oriëntatie | <100>, <111> |
---|
Nauwkeurigheid bij omleiding | ±0.5° |
---|
Primaire platte lengte | 16±2 mm, 22±2 mm, 32.5±2 mm |
---|
Vlakke lengte condarium | 8±1 mm, 11±1 mm, 18±1 mm |
---|
TTV | <10 um, <15 um |
---|
Boog | <10 um, <15 um |
---|
Verdraaien | <15 um |
---|
Indium fosfide wafer -pakket
Verpakt met een schone zak of wafer-container van klasse 100 in een cleanroom van klasse 1000.
Verwante producten van Indium fosfide wafer
Supergeleidende substraten Yttrium Orthoaluminaat substraat Magnesium aluminaat (Spinel) substraat LaAlO3-substraat Magnesiumoxide wafer Strontium Titanate substraat LSAT-substraat YSZ-substraat Neodymium-gallaat substraat Kaliumtantalaat substraat LaSrAlO4-substraat | Magnetische ondergronden voor ferroelektriciteit Gadolinium Gallium Garnet substraat Terbium Gallium Garnet-substraat Neodymium-dooped Strontium Titanate-substraat Ferrum dooped Strontium Titanate substraat Niobium dooped Strontium Titanate substraat Saffierwafer Rutiel substraat | Halfgeleiderwafers Germanium wafer Siliconenwafer Indium arsenide wafer Gallium Arsenide wafer Gallium-antimonide-wafer Indium fosfide wafer Thermische oxide-siliciumwafer |
GAN dunne film substraten Gallium nitride wafer ScalMgO4-substraat Lithium-aluminaat substraat Siliciumcarbide wafer Zinkoxide-substraat Magnesium aluminaat substraat | Halide-substraten Kaliumbromide-substraat Kaliumchloride-substraat Natriumchloride-substraat | Keramische substraten Alumina-keramisch substraat Aluminium nitride-keramische ondergrond Zirconia-keramisch substraat Silicium Nitride-keramisch substraat Metalen substraten Kopersubstraat Aluminium substraat |
Adres:
Rm. 408, Building 1, No. 31, Yinshan Road Yuelu District, Changsha, Hunan, China
Soort bedrijf:
Fabrikant/fabriek
Zakelijk Bereik:
Chemische Stoffen, Produceren & Verwerken Machine
Certificering Van Managementsysteem:
ISO 9001, ISO 9000
Bedrijfsintroductie:
Changsha Advanced Engineering Materials Limited (AEM) is een internationaal bedrijf dat betrokken is bij de R & D, de productie en verkoop van allerlei hightech materialen. We bieden wereldwijd onderzoeksinstellingen en hightech bedrijven hoogwaardige non-ferro materialen, op maat gemaakte legeringen, verbindingen en bijna alle soorten gecompliceerd synthetisch materiaal, etc. we hebben grote voordelen in magnetron sputtering targets, vacuüm coating materialen, high-purity metalen, high-purity verbindingen, zeldzame-aarde metalen, gedestilleerde zeldzame aardmetalen, gecoate substraten, enz.