Nederlands
Inloggen
Doe mee

Neem contact op met de leverancier

Avatar
Ms. Jennie
Manager
Contact Opnemen

Misschien Vind Je Het Leuk

Bezig met laden...
Terug naar product pagina

Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q

Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q pictures & photos
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
  • Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
Referentie FOB Prijs
Krijg Recentste Prijs
US$0,78 / Stuk | 1.000 Stukken (Minimale Bestelling)
certificaat: RoHS
Functie: switch Transistor
inkapseling Structuur: TO-247AB
Materiaal: Silicium
Features1: Extremely Low Switching Loss
Features2: Excellent Stability and Uniformity
Favorieten

Misschien Vind Je Het Leuk

Bezig met laden...

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
avatar Ms. Jennie
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing

Mensen die dit hebben bekeken, hebben ook bekeken

Hoogefficiënte gelijkrichter voor opbouwmontage, VRRM: 50 V~1000 V, VRMS: 35~700 V, IO: 1A, IFSM: 30 A, SOD-123FL, H1A T/M H1M
Hoogefficiënte gelijkrichter voor opbouwmontage, VRRM: 50 V~1000 V, VRMS: 35~700 V, IO: 1A, IFSM: 30 A, SOD-123FL, H1A T/M H1M
US$0,96 / Stuk
Hoogefficiënte gelijkrichter voor opbouwmontage, VRRM: 50 V~1000 V, IO: 0,7 A, IFSM: 25 A, SOD-123FL, H07A T/M H07M
Hoogefficiënte gelijkrichter voor opbouwmontage, VRRM: 50 V~1000 V, IO: 0,7 A, IFSM: 25 A, SOD-123FL, H07A T/M H07M
US$0,98 / Stuk
ZEER EFFICIËNTE GELIJKRICHTER, VRRM: 50 V~1000 V, IF: 5 A, IFSM: 150 A~300 A, SOD323, SD103AWSQ EN SD103BWSQ EN SD103CWSQ
ZEER EFFICIËNTE GELIJKRICHTER, VRRM: 50 V~1000 V, IF: 5 A, IFSM: 150 A~300 A, SOD323, SD103AWSQ EN SD103BWSQ EN SD103CWSQ
US$1,39 / Stuk
Klein signaal Schottky-diode, VR: 40 ~ 60 V, IF: 0,07 A, IFSM: 3A, PD: 450 mW, SOD123, SD101AWQ EN SD101BWQ EN SD101CWQ
Klein signaal Schottky-diode, VR: 40 ~ 60 V, IF: 0,07 A, IFSM: 3A, PD: 450 mW, SOD123, SD101AWQ EN SD101BWQ EN SD101CWQ
US$1,11 / Stuk
Klein signaal Schottky-diode, VR: 20 ~ 40 V, IF: 0,35 A, IFSM: 3A, PD: 200 mW, SOD323, SD103AWSQ EN SD103BWSQ EN SD103CWSQ
Klein signaal Schottky-diode, VR: 20 ~ 40 V, IF: 0,35 A, IFSM: 3A, PD: 200 mW, SOD323, SD103AWSQ EN SD103BWSQ EN SD103CWSQ
US$1,09 / Stuk

Zoek vergelijkbare producten op categorie

Startpagina leverancier Producten MOSFET Siliciumcarbide Mosfet afbeeldingen van Siliciumcarbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement) VDS 1200V ID (25°C) 66A RDS(aan) 33mohm TOT 247AB Fetures Applications YJD212040NCTG2Q
Meer
Over Ons Verklaring Gebruikersovereenkomst Privacybeleid Neem contact op met Made-in-China.com Topproducten
Taal Opties: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2024Focus Technology Co., Ltd. Alle rechten voorbehouden
Focus is niet verantwoordelijk voor het inhoudelijke verschil van de website tussen de Engelse versie en andere taalversies. In geval van discrepantie tussen verschillende talenversies, zal de Engelse versie voorrang hebben . Door gebruik te maken van deze Website aanvaardt en erkent U zonder enig voorbehoud onze gebruiksvoorwaarden.