• Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet
  • Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet
  • Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet
  • Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet
  • Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet
  • Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet

Ionenimplantatie componenten gemaakt in grafiet

Type: Graphtie Parts
Samenstelling: Carbon
Carbon Content: High-Carbon
Graad: Industriële Rang
Vormen Way: Isostatisch grafiet
dichtheid: 1.85 g/cm3

Neem contact op met de leverancier

Fabrikant/fabriek & Handelsbedrijf

360° Virtuele Rondleiding

Diamant Lid Sinds 2024

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Hebei, China
Importeurs en exporteurs
De leverancier beschikt over import- en exportrechten
Snelle Bezorging
De leverancier kan de goederen binnen 15 dagen leveren
Kwaliteitsverzekering
De leverancier zorgt voor kwaliteitsborging
R&D-mogelijkheden
De leverancier beschikt over 3 R&D-ingenieurs. U kunt de Audit Report raadplegen voor meer informatie
om alle geverifieerde sterktelabels te bekijken (19)

Basis Informatie.

Model NR.
HBHTSEM001
specifieke weerstand
No More Than 8.5
druksterkte
34 MPa Min
vorm
Cuistomized
materiaal
gezuiverd grafiet
Transportpakket
Wooden Case
Specificatie
Customized
Oorsprong
Hebei, China
Productiecapaciteit
500000 Piece/Pieces Per Month

Beschrijving

 Halfgeleider
Ion Implantation Components Made in Graphite

Halfgeleider verwijst naar het materiaal waarvan de geleidbaarheid zich bij normale temperatuur tussen geleider en isolator bevindt. Halfgeleiders worden gebruikt in geïntegreerde schakelingen, consumentenelektronica, communicatiesystemen, fotovoltaïsche energieopwekking, verlichting, conversie van hoog vermogen en andere velden. Diodes zijn bijvoorbeeld apparaten die zijn gemaakt van halfgeleiders. Vanuit het perspectief van technologie of economische ontwikkeling is het belang van halfgeleiders zeer groot.
 


Over Ion Implantatie Inleiding

Ion Implantation Components Made in GraphiteIon-implantatie is een complex en gevoelig proces en wordt gebruikt bij de productie van halfgeleiders. Tijdens het implantatieproces worden dopantionen Versneld en geïnplanteerd in een monokristallijn siliciumsubstraat om de bulkeigenschappen ervan te manipuleren. Borium, fosfor en germanium zijn enkele van de typische dopant materials.Implanter systemen dope wafers met vreemde atomen om de materiaaleigenschappen zoals geleidbaarheid of kristalstructuur te wijzigen. Het straalpad is het midden van een implanteersysteem. Hier worden de ionen gegenereerd, geconcentreerd, sterk Versneld, en geconcentreerd op de wafer bij zeer hoge snelheden.
 
Ion Implantation Components Made in Graphite
Ion Implantation Components Made in Graphite
 
Ion Implantation Components Made in Graphite
Belangrijkste kenmerken van de componenten van de ionen-implantatie:
Materiaalcompatibiliteit: Ionimplantatiecomponenten zijn vervaardigd van materialen met een hoge zuiverheid, uitstekende thermische geleiding en weerstand tegen zware omstandigheden.
Precision Design: Componenten zijn zorgvuldig ontworpen om een nauwkeurige uitlijning van de straal, een uniforme dosisverdeling en minimale verstrooiingseffecten te garanderen.
Slijtvastheid: Ionimplantatiecomponenten worden gecoat of behandeld om de slijtvastheid te verbeteren en de deeltjesvorming te minimaliseren, waardoor de levensduur wordt verlengd.
Temperatuurregeling: Efficiënte methoden voor warmteafgifte zijn geïntegreerd om de temperatuurstabiliteit tijdens ionenimplantatieprocessen te handhaven, zodat consistente resultaten worden gegarandeerd.
Aanpassing: Ionenimplantatiecomponenten zijn ontworpen om te voldoen aan specifieke apparatuur

 
 
Ideale producteigenschappen
Temperaturen tot 1400 °C, sterke elektromagnetische velden, agressieve procesgassen en hoge mechanische krachten zijn een probleem voor reguliere materialen. Niet met onze producten. Onze hittebestendige componenten van grafiet bieden de ideale combinatie van corrosiebestendigheid, materiaalsterkte, goede thermische geleiding en absolute zuiverheid. Ze zorgen ervoor dat de ionen efficiënt worden gegenereerd en precies op de wafer in het straalpad worden gericht, zonder onzuiverheden. Onze componenten en reserveonderdelen van grafiet helpen ervoor te zorgen dat dit proces zo efficiënt, nauwkeurig en vrij van onzuiverheden mogelijk is.

 
Ion Implantation Components Made in Graphite


Geavanceerde apparatuur:  
 
Ion Implantation Components Made in Graphite
Ion Implantation Components Made in Graphite
 
Ion Implantation Components Made in Graphite
Ion Implantation Components Made in Graphite


Eigenschappen van grafisch materiaal:  
Eigendom
(Normale waarde)
TSK GSK Eenheid
Schijnbare dichtheid ≥1.68 ≥1.72 g/cm3
Max. Korrelgrootte ≤2 ≤0.8 mm
Specifieke elektrische weerstand 8-10 ≤8.5 Μm
Flexural-sterkte   ≥12.5 ≥15 MPa
Druksterkte ≥28 ≥35 MPa
Porositeit ≤24 ≤20 %
Aswaarde ≤0.3 ≤0.3 %
 
Eigendom
(Normale waarde)
HTG-4 HTG-5 Eenheid
Schijnbare dichtheid ≥1.78 ≥1.85 g/cm3
Max. Korrelgrootte ≤43 ≤43 µm
Aswaarde ≤500 ≤500 ppm
Specifieke elektrische weerstand ≤12 ≤10 Μm
Flexural-sterkte ≥35 ≥40 MPa
Druksterkte ≥60 ≥70 MPa
Hardheid aan wal 40 45 HSD
Thermische uitzetting (kamertemperatuur tot 600 ºC) 4.5 4.4 10-6/ºC
 
Eigendom
(Normale waarde)
HTD-5 HTD-6 HTD-7 HTD-8 HTD-9 Eenheid
Schijnbare dichtheid 1.85 1.90 1.82 1.90 1.82 g/cm3
Max. Korrelgrootte 13-15 8-10 8-10 8-10   µm
Asgehalte ≤500 ≤500 ≤500 ≤500 ≤500 ppm
Gezuiverde ASINHOUD 50 50 50 50 50 ppm
Specifieke elektrische weerstand 8-10 8-9 11-13 11-13 11-13 Μm
Flexural-sterkte   46 55 51 60 59 MPa
Druksterkte 85 95 115 135 121 MPa
Hardheid aan wal 48 53 65 70 70 HSD
Thermische uitzetting (kamertemperatuur tot 600 ºC) 4.75 4.8 5.8 5.85  5.85 10-6/ºC
 
Eigendom HCT-Z Eenheid
Schijnbare dichtheid 1.90 g/cm3  
Gemiddelde korrelgrootte 3 µm
Aswaarde   ≤20 ppm
Specifieke elektrische weerstand 14 Μm
Flexural-sterkte   85 MPa
Druksterkte 150 MPa
Hardheid aan wal 80 HSD

Ion Implantation Components Made in Graphite
Ion Implantation Components Made in GraphiteIon Implantation Components Made in Graphite
Onze diensten:

Efficiëntie: Uw e-vraag zal binnen 24 uur beantwoord worden  

Snelle levering: Onze productiecapaciteit en voldoende mateïrale voorraden zorgen voor snelle devevery
Maatwerk: We hebben OEM-services geleverd op basis van uw ontwerp en tekeningen

Design Service: Ons professionele en ervaren raadselersteam kan zich voor u distantieren, als u dat nodig hebt
Kwaliteit en Prijs: Wij bieden u hoogwaardige grafietproducten met de meest concurrerende prijs

After-sales Services: Tracking service voor feedback van onze grafietproducten, en we zullen verantwoordelijk zijn voor kwaliteitsproblemen.   


Verzendmethoden:
Ion Implantation Components Made in Graphite

 

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing