4-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt) LED China

• Maatwerk: Beschikbaar
• Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
• Certificering: CCC, CE, RoHS
• Model NR.: 4-inch P Grade
• grootte: ф 100 ± 0.3 mm
• dikte: 650 ± 50μm
• weerstand 300k: 0.5 ohm
• ttv: ≤ 30 μm
• boog: ≤-30μm-≤30μm
• Specificatie: gan-fs-c-u-c100
• Oorsprong: China
• Gs-Code: 2804611900
• Productiecapaciteit: 50000

Beschrijving

   GAN-substraten met enkel kristal voor RF-elektronica
RF-apparaten op basis van GAN zijn de meest wenselijke halfgeleider-elektronische apparatuur tot nu toe, met de voordelen van hoog vermogen, hoog rendement, hoge temperatuurbestendigheid en bestralingsbestendigheid.
HEMT-apparaten op basis van GAN-substraten met één kristal bieden oplossingen voor gelijktijdige hoge frequenties, een breed spectrum, hoge efficiëntie, een hoge vermogensdichtheid en een hoge betrouwbaarheid.
Halfgeïsoleerd GAN, Fe-dooped, C-dooped          

         

VEELGESTELDE VRAGEN

V1: Wat is de manier van verschepen ?
A: We accepteren DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF en dergelijke
V2: Hoe te betalen?
A: T/T, PayPal en dergelijke.
V3: Wat is de tijd die nodig is om te leveren?
A: Voor voorraad: De levertijd is 10 werkdagen.   Voor producten op maat: De levertijd is 10 tot 25 werkdagen. Afhankelijk van de hoeveelheid.
V4: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoeften?
A: A: Ja, we kunnen de specificaties aanpassen aan uw behoeften.