6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat

Productdetails
Maatwerk: Beschikbaar
Certificering: CCC, CE, RoHS
diameter: 150 ±0.25 mm
Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
Gouden Lid Sinds 2024

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Maatschappelijk Kapitaal
1000000 RMB
Plantengebied
101~500 Vierkante Meter
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
  • 6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
Vind vergelijkbare producten
  • Overzicht
  • Productbeschrijving
  • VEELGESTELDE VRAGEN
Overzicht

Basis Informatie.

weerstand
0.016 ~ 0,024 ohm·cm
doopant
stikstof van het n-type
ttv
≤5 μm
verdraaiing
≤20 μm
(afm)ruwheid voorzijde (si-face)
ra≤0,2 nm
Specificatie
6 inch
Handelsmerk
hc
Oorsprong
China
Gs-Code
2849200000
Productiecapaciteit
50000

Beschrijving

Productbeschrijving

   De n-Type substraten zijn een essentieel en belangrijk materiaal ter ondersteuning van de ontwikkeling van de energie-elektronica-industrie, die op grote schaal kan worden gebruikt in hoogfrequente elektronische apparaten, elektrische voertuigen, fotovoltaïsche frequentieregelaars, railtransit-energiesystemen, enz.
   Het bedrijf levert voornamelijk geleidende siliciumcarbide-substraten, die geschikt zijn voor de productie van stroomvoorzieningen zoals Schottky-diodes, MOSFET's en IGBTs. De afmetingen zijn voornamelijk 2 inch, 4 inch, 6 inch en 8 inch, en niet-standaard formaten kunnen worden aangepast.

6-Inch Ultra-P Grade N-Type Sic Wafer Sic Substrate6-Inch Ultra-P Grade N-Type Sic Wafer Sic Substrate6-Inch Ultra-P Grade N-Type Sic Wafer Sic Substrate6-Inch Ultra-P Grade N-Type Sic Wafer Sic Substrate
                                                 
                          6 inch N-type SiC-substraatwafer
 
Nee Items Eenheid Ultra-P-kwaliteit Productiekwaliteit Onderzoeksniveau Dummy-klasse
1.Boule-parameters
1.1 Poly-type -- 4 UUR
1.2 Fout in de richting van het oppervlak ° 4° naar <11-20>±0.15° 4° naar <11-20>±0.5° 4° naar <11-20>±0.5° 4° naar <11-20>±0.5°
2.Elektrische parameters
2.1 doopant cm-³ n-type stikstof
2.2 weerstand ohm·cm 0.016 ~ 0,024 ohm·cm 0.015 ~ 0,025 ohm·cm. 0.015 ~ 0,025 ohm·cm. NA
3.Mechanische parameters
3.1 diameter mm 150 ±0.25 mm
3.2 hickness μm 350±25 μm
3.3 Primaire vlakke oriëntatie ° [1-100]±5°
3.4 Primaire platte lengte mm 47.5±1,5 mm 47.5±2,5 mm 47.5±2,5 mm 47.5±2,5 mm
3.5 LTV μm ≤2 μm (10 mm x 10 mm) ≤5 μm (10 mm x 10 mm) ≤10 μm (10 mm x 10 mm) ≤15 μm (10 mm x 10 mm)
3.6 TTV μm ≤5 μm ≤10 μm ≤15 μm ≤20 μm
3.7 Boog μm -15 μm~15 μm -25 μm~25  μm -45 μm~45   μm -65  μm~65  μm
3.8 Verdraaien μm ≤20 μm ≤35 μm ≤50 μm ≤70 μm
3.9 (AFM)Front(Si-face)ruwheid nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm
4.structuur
4.1 dichtheid van de micropijp ea/cm² ≤0.15 ea/cm² ≤0.5 ea/cm² ≤1 ea/cm² ≤2 ea/cm²
4.2 metaalgehalte atomen/cm² ≤5E10 atomen/cm² ≤1E11 atomen/cm² ≤1E11 atomen/cm² NA
4.3 TSD ea/cm² ≤100ea/cm² ≤300ea/cm² ≤500ea/cm² NA
4.4 BPD ea/cm² ≤600ea/cm² ≤1000ea/cm² ≤1500 ea/cm² NA
5.kwaliteit voorzijde
5.1 voor -- SI SI SI SI
5.2 oppervlakteafwerking -- SI-Face CMP SI-Face CMP SI-Face CMP SI-Face CMP
5.3 deeltje ea/wafer ≤60(grootte≥0.3 μm) ≤100(grootte≥0.3 μm) NA NA
5.4 krassen ea/mm ≤2,totale lengte≤1/2*diameter ≤5,totale lengte≤diameter NA NA
5.5 spaanders/inspringen/scheuren/sti -- Geen Geen Geen NA
5.6 Polytype gebieden -- Geen ≤0.5% cumulatief gebied) ≤2%cumulatief gebied) ≤5% cumulatief gebied)
5.7 markering voor -- Geen Geen Geen Geen
6.Back-kwaliteit
6.1 afwerking aan de achterkant -- C-face gepolijst
6.2 krassen ea/mm ≤5,totale lengte≤diameter NA NA NA
6.3 Achterkant vertoont defecten aan de rand -- Geen Geen Geen NA
6.4 Achterruwheid nm RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) RA ≤5 nm RA ≤5 nm RA ≤5 nm
Rand
7.1 Wafer Edge -- Afschuining Afschuining Afschuining Afschuining
8.verpakking
8.1 Verpakking -- EPI-gereed met vacuümverpakking
8.2 Verpakking -- Multi-waferorverpakking met enkele wafer-cassette
SEMI-STDNotes:„na” betekent geen verzoek.items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD.
SEMI-STDNotes:„na” betekent geen verzoek.items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD.
VEELGESTELDE VRAGEN

V1: Wat is de manier van verschepen ?
A:  We accepteren DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF en dergelijke
V2: Hoe te betalen?
A:  T/T, PayPal en dergelijke.
V3: Wat is de tijd die nodig is om te leveren?
A:  Voor voorraad: De levertijd is 10 werkdagen.    Voor producten op maat: De levertijd is 10 tot 25 werkdagen. Afhankelijk van de hoeveelheid.
V4: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoeften?
 A: Ja, we kunnen de specificaties aanpassen aan uw behoeften.
V5: Hoe kan ik de kwaliteit van uw producten garanderen?
 A: Strikte detectie tijdens de productie.strikte monstername-inspectie van producten vóór verzending en intact productverpakking verzekerd.

6-Inch Ultra-P Grade N-Type Sic Wafer Sic Substrate

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing
Contacteer leverancier