China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer

Productdetails
Maatwerk: Beschikbaar
Specificatie: zuiverheid>99.9999%
Handelsmerk: hc
Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf
Gouden Lid Sinds 2024

Leveranciers met geverifieerde zakelijke licenties

Maatschappelijk Kapitaal
1000000 RMB
Plantengebied
101~500 Vierkante Meter
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
  • China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
Vind vergelijkbare producten
  • Overzicht
  • VEELGESTELDE VRAGEN
Overzicht

Basis Informatie.

Model NR.
6 inch Research Grade
Oorsprong
China
Gs-Code
2849200000
Productiecapaciteit
50000

Beschrijving

    SIC Silicon Carbide geleidende, semi-isolerende substraatwafers (aanpasbaar) ★2" 4"6" 8" geleidend silicium carbide substraat Wafers Silicon Carbide (SiC) is een nieuw type compound halfgeleider materiaal met superieure prestaties. Halfgeleiders van siliciumcarbide hebben uitstekende eigenschappen, zoals een grote bandbreedte (ongeveer 3 keer zo breed als silicium), een hoge kritieke veldsterkte (ongeveer 10 keer zo hoog als die van silicium) en een hoge thermische geleidbaarheid (ongeveer 3 keer zo hoog als die van silicium). Het zijn ideale halfgeleidermaterialen voor het maken van elektronische apparaten met hoge temperaturen, hoge frequenties en een hoog vermogen (vermogensspaanders). Tegelijkertijd is het ook een uitstekend halfgeleidermateriaal dat de tweede is van diamant. Momenteel leveren we standaard 2, 4, 6 en 8-inch siliciumcarbide substraatwafers. Gebruikt voor de productie van Schottky diodes (SBD), MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field effect Transistors), JFET (junction field effect transistors) en BJT (bipolaire junction transistors). Deze elektronische apparaten kunnen op grote schaal worden gebruikt in groene energie- en energiebesparende systemen, waaronder zonne-omvormers, het opwekken van windenergie en het opslaan van energie, hybride energie, elektrische voertuigen, laadstapels, slimme netten, en huishoudelijke apparaten.

  China Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide Wafer
                                                 6 inch N-type SiC-substraatwafer
 
Nee Items Eenheid Ultra-P-kwaliteit Productiekwaliteit Onderzoeksniveau Dummy-klasse
1.Boule-parameters
1.1 Poly-type -- 4 UUR
1.2 Fout in de richting van het oppervlak ° 4° naar <11-20>±0.15° 4° naar <11-20>±0.5° 4° naar <11-20>±0.5° 4° naar <11-20>±0.5°
2.Elektrische parameters
2.1 doopant cm-³ n-type stikstof
2.2 weerstand ohm·cm 0.016 ~ 0,024 ohm·cm 0.015 ~ 0,025 ohm·cm. 0.015 ~ 0,025 ohm·cm. NA
3.Mechanische parameters
3.1 diameter mm 150 ±0.25 mm
3.2 hickness μm 350±25 μm
3.3 Primaire vlakke oriëntatie ° [1-100]±5°
3.4 Primaire platte lengte mm 47.5±1,5 mm 47.5±2,5 mm 47.5±2,5 mm 47.5±2,5 mm
3.5 LTV μm ≤2 μm (10 mm x 10 mm) ≤5 μm (10 mm x 10 mm) ≤10 μm (10 mm x 10 mm) ≤15 μm (10 mm x 10 mm)
3.6 TTV μm ≤5 μm ≤10 μm ≤15 μm ≤20 μm
3.7 Boog μm -15 μm~15 μm -25 μm~25  μm -45 μm~45   μm -65  μm~65  μm
3.8 Verdraaien μm ≤20 μm ≤35 μm ≤50 μm ≤70 μm
3.9 (AFM)Front(Si-face)ruwheid nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm RA≤0,2 nm
4.structuur
4.1 dichtheid van de micropijp ea/cm² ≤0.15 ea/cm² ≤0.5 ea/cm² ≤1 ea/cm² ≤2 ea/cm²
4.2 metaalgehalte atomen/cm² ≤5E10 atomen/cm² ≤1E11 atomen/cm² ≤1E11 atomen/cm² NA
4.3 TSD ea/cm² ≤100ea/cm² ≤300ea/cm² ≤500ea/cm² NA
4.4 BPD ea/cm² ≤600ea/cm² ≤1000ea/cm² ≤1500 ea/cm² NA
5.kwaliteit voorzijde
5.1 voor -- SI SI SI SI
5.2 oppervlakteafwerking -- SI-Face CMP SI-Face CMP SI-Face CMP SI-Face CMP
5.3 deeltje ea/wafer ≤60(grootte≥0.3 μm) ≤100(grootte≥0.3 μm) NA NA
5.4 krassen ea/mm ≤2,totale lengte≤1/2*diameter ≤5,totale lengte≤diameter NA NA
5.5 spaanders/inspringen/scheuren/sti -- Geen Geen Geen NA
5.6 Polytype gebieden -- Geen ≤0.5% cumulatief gebied) ≤2%cumulatief gebied) ≤5% cumulatief gebied)
5.7 markering voor -- Geen Geen Geen Geen
6.Back-kwaliteit
6.1 afwerking aan de achterkant -- C-face gepolijst
6.2 krassen ea/mm ≤5,totale lengte≤diameter NA NA NA
6.3 Achterkant vertoont defecten aan de rand -- Geen Geen Geen NA
6.4 Achterruwheid nm RA≤0,2 nm (5 μm*5 μm) RA ≤5 nm RA ≤5 nm RA ≤5 nm
Rand
7.1 Wafer Edge -- Afschuining Afschuining Afschuining Afschuining
8.verpakking
8.1 Verpakking -- EPI-gereed met vacuümverpakking
8.2 Verpakking -- Multi-waferorverpakking met enkele wafer-cassette
SEMI-STDNotes:„na” betekent geen verzoek.items die niet zijn opgenomen, kunnen verwijzen naar SEMI-STD.
China Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide WaferChina Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide WaferChina Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide WaferChina Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide Wafer

VEELGESTELDE VRAGEN

 

V1: Wat is de manier van verschepen ?
A: We accepteren DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, SF en dergelijke
V2: Hoe te betalen?
A: T/T, PayPal en dergelijke.
V3: Wat is de tijd die nodig is om te leveren?
A: Voor voorraad: De levertijd is 10 werkdagen.   Voor producten op maat: De levertijd is 10 tot 25 werkdagen. Afhankelijk van de hoeveelheid.
V4: Kan ik de producten aanpassen op basis van mijn behoeften?
 A: Ja, we kunnen de specificaties aanpassen aan uw behoeften.
V5: Hoe kan ik de kwaliteit van uw producten garanderen?
 A: Strikte detectie tijdens de productie.strikte monstername-inspectie van producten vóór verzending en intact productverpakking verzekerd. China Quality Research Grade 6-Inch Silicon Carbide Wafer

Stuur uw aanvraag naar deze leverancier

*van:
*naar:
*bericht:

Voer tussen 20 tot 4000 karakters.

Dit is niet wat je zoekt? Plaats Nu het Verzoek tot Scourcing
Contacteer leverancier