| Specificatie |
Applicatie: semi-standaard;
Materiaal: Samengestelde halfgeleider;
Type: P-Type Halfgeleider;
groeimethode: cz;
kristal oriëntatie: 100;
doopant: boor;
weerstand: 1-100ohm;
voorzijde: gepolijst;
achterkant: geëtst;
diameter: 200±0,2 mm;
dikte: 725±25mm;
dikte van de oxide: 10000A;
ttv: ≤25 μm;
verdraaiing: ≤40 μm;
boog: ≤40 μm;
|
Applicatie: Vermogenselektronische componenten, zachte starters, hoogvermogen gelijkrichter, enz;
Batchnummer: 2024+;
Productietechnologie: Discreet apparaat;
Materiaal: Element Halfgeleider;
Model: kp1000a1600v;
Pakket: presspacks;
Signaalverwerking: triggerregeling rooster;
Type: P-Type Halfgeleider;
levering: 3-5 dagen;
kwaliteit: garantie;
service: hoog;
prijstermijn: fob/cpt/exw/cif;
aangepast: ja;
grootte van de omtrek: standaard of aangepast;
functie: hoge stroomdichtheid;
leveringspoort: tianjin, china;
min. bedrijfstemperatuur: -40 C;
koeling: koeling aan twee kanten;
|
Applicatie: Vermogenselektronische componenten, zachte starters, hoogvermogen gelijkrichter, enz;
Batchnummer: 2024+;
Productietechnologie: Discreet apparaat;
Materiaal: Element Halfgeleider;
Model: Kp800A6500V;
Pakket: QFP/PFP;
Signaalverwerking: triggerregeling rooster;
Type: P-Type Halfgeleider;
levering: 3-5 dagen;
kwaliteit: garantie;
service: hoog;
prijstermijn: fob/cpt/exw/cif;
grootte van de omtrek: standaard of aangepast;
functie: hoge stroomdichtheid;
leveringspoort: tianjin, china;
koeling: koeling aan twee kanten;
min. bedrijfstemperatuur: -40 C;
|
Applicatie: Vermogenselektronische componenten, inductieverwarming, omvormer, svc, enz;
Batchnummer: 2025+;
Productietechnologie: Discreet apparaat;
Materiaal: Vermogen halfgeleider;
Model: kk-serie;
Pakket: presspacks;
Signaalverwerking: poorttriggercontrole;
Type: element halfgeleider;
levering: 3-5 dagen;
kwaliteit: garantie;
service: hoog;
prijstermijn: fob/cpt/exw/cif;
aangepast: ja;
leveringspoort: tianjin, china;
koeling: koeling aan twee kanten;
functie: snelle inschakeling en hoge di/dt;
mantel: keramisch;
min. bedrijfstemperatuur: -40 C;
|
Applicatie: Diode;
Batchnummer: 2023+;
Materiaal: Samengestelde halfgeleider;
Model: n & p;
Type: P-Type Halfgeleider;
groeimethode: cz en fz;
oriëntatie: 111 of 100;
weerstand: 0.0005 tot 150;
oppervlak: gepolijst aan twee kanten of gepolijst aan één kant;
doopant: n-type en p-type;
deeltjes: <30 op 0,3um;
boog: < 30 um;
ttv: <15 um;
|
