Startpagina Product Directory

Productlijst

(Totaal 39 Producten)
weergave:

Lijstweergave

Galerijweergave
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
  • Warp: ≤70μm
Contact Opnemen
Hoogwaardige Sic-ingots en staven in verschillende maten en kwaliteiten
Hoogwaardige Sic-ingots en staven in verschillende maten en kwaliteiten
FOB-prijs: US$160,00-175,00 / mm
Minimale Bestelling: 15 mm
  • Certificering: RoHS
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Dopant: N-Type Nitrogen
  • Resistivity: 0.015~0.028 Ohm.Cm
  • Specificatie: 4 "6" 8"
Contact Opnemen
4-8 Inch Siliciumcarbide Staven, Siliciumcarbide Semi-Isolerende Ingotten
4-8 Inch Siliciumcarbide Staven, Siliciumcarbide Semi-Isolerende Ingotten
FOB-prijs: US$170,00-185,00 / mm
Minimale Bestelling: 10 mm
  • Certificering: RoHS
  • Materiaal: Vermogen halfgeleider
  • Model: Single Crystal Substrate Material
  • Type: N-Type Halfgeleider
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
Contact Opnemen
6 Inch Dummy Grade Siliciumcarbide Wafer N-Type Halfgeleider Sic Wafer
6 Inch Dummy Grade Siliciumcarbide Wafer N-Type Halfgeleider Sic Wafer
FOB-prijs: US$170,00-185,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Certificering: RoHS
  • Kleur: Groen
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
Contact Opnemen
4"6inch siliciumcarbide staaf Sic semi-geïsoleerde Sic ingot
4"6inch siliciumcarbide staaf Sic semi-geïsoleerde Sic ingot
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / mm
Minimale Bestelling: 10 mm
  • Certificering: RoHS
  • Poly Type: 4h
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Thickness: ≥10mm
  • Specificatie: 4 "6" 8"
  • Handelsmerk: HC
Contact Opnemen
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
6inch Dummy Graad 4h N Type Siliciumcarbide Wafer Halfgeleider
FOB-prijs: US$175,00-200,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
  • Warp: ≤70μm
Contact Opnemen
Privé Methode Lange Kristaloven Weerstandsoven
Privé Methode Lange Kristaloven Weerstandsoven
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Contact Opnemen
Sic diamantzaaglijn multi-draadzaag diamantdraadtoepassingen
Sic diamantzaaglijn multi-draadzaag diamantdraadtoepassingen
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Contact Opnemen
Sic Wafer Hoge Precisie Dubbelzijdige Slijpen Polijsten Machine
Sic Wafer Hoge Precisie Dubbelzijdige Slijpen Polijsten Machine
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Contact Opnemen
Siliciumcarbide kristalgroeioven
Siliciumcarbide kristalgroeioven
Minimale Bestelling: 1 Stuk
  • Certificering: CE, ISO
  • Plaats Stijl: Verticaal
  • Scala van toepassingen: Industrieel
  • Type: Crucible Smeltende Oven
  • Gebruik: Aluminum spuitgieten
  • Brandstof: Elektrisch
Contact Opnemen
2 Inch Sic siliciumcarbide wafer dummy klasse
2 Inch Sic siliciumcarbide wafer dummy klasse
FOB-prijs: US$8,00-10,00 / piece
Minimale Bestelling: 25 piece
  • Certificering: RoHS
  • Kleur: Groen
  • Diameter: 6inch
  • Hickness: 350±25μm
  • Poly Type: 4h
  • Ttv: ≤20 μm
Contact Opnemen
6n Sic Poeder 8-20mesh Kristalgroei Groene Sic Poeder voor Halfgeleider
6n Sic Poeder 8-20mesh Kristalgroei Groene Sic Poeder voor Halfgeleider
FOB-prijs: US$170,00-195,00 / kg
Minimale Bestelling: 10 kg
  • Certificering: BEREIK
  • Functie: Crystal Gowth
  • Kleur: Groen
  • Purity: 6n
  • Type: N-Type 3c-Sic
  • Customization: Support Customization
Contact Opnemen
6n Groene Siliciumcarbide Poeder Geleidende Enkelkristalgroei
6n Groene Siliciumcarbide Poeder Geleidende Enkelkristalgroei
FOB-prijs: US$170,00-195,00 / kg
Minimale Bestelling: 10 kg
  • Certificering: BEREIK
  • Functie: Crystal Gowth
  • Kleur: Groen
  • Purity: 6n
  • Type: N-Type 3c-Sic
  • Customization: Support Customization
Contact Opnemen
6-Inch P-Grade Sic Wafer Sic Substraat MOS&Sbd
6-Inch P-Grade Sic Wafer Sic Substraat MOS&Sbd
FOB-prijs: US$349,00-390,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: 4h
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Contact Opnemen
6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
6-Inch Ultra-P Graad N-Type Sic Wafer Sic Substraat
FOB-prijs: US$600,00-660,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Diameter: 150 ±0.25 mm
  • Resistivity: 0.016~0.024ohm ·cm
  • Dopant: N-Type Nitrogen
  • Ttv: ≤5μm
  • Warp: ≤20μm
Contact Opnemen
4-Inch P-Grade Semi-Isolerende SiC Substraat SiC Schijf
4-Inch P-Grade Semi-Isolerende SiC Substraat SiC Schijf
FOB-prijs: US$589,00-685,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: N-Type
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Contact Opnemen
China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
China Kwaliteitsonderzoek Graad 6-Inch Siliciumcarbide Wafer
FOB-prijs: US$249,00-345,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Specificatie: Purity>99.9999%
  • Handelsmerk: HC
  • Oorsprong: China
Contact Opnemen
4inch Dummy Grade Semi Isolerende Siliciumcarbide Wafer
4inch Dummy Grade Semi Isolerende Siliciumcarbide Wafer
FOB-prijs: US$589,00-685,00 / piece
Minimale Bestelling: 5 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, RoHS
  • Productietechnologie: Pvt
  • Materiaal: 6n Sic Powder
  • Model: N-Type
  • Pakket: Epi-Ready with Vacuum Packaging
Contact Opnemen
2-Inch Vrijstaande GaN Wafer (silicium gedoteerd)
2-Inch Vrijstaande GaN Wafer (silicium gedoteerd)
FOB-prijs: US$10,00-30,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Formule: 4h
  • Size: Ф 50.8 ± 1 mm
  • Thickness: 350 ± 25 μm
  • Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
  • Specificatie: GaN-FS-C-U-C50
  • Oorsprong: China
Contact Opnemen
Siliciumcarbide Mosfet heeft lage doorlaatweerstand, lage verliezen en hoge frequentie
Siliciumcarbide Mosfet heeft lage doorlaatweerstand, lage verliezen en hoge frequentie
Minimale Bestelling: 100 Stukken
  • Installatie: Plug-in Triode
  • werken Frequency: Hoge frequentie
  • Kracht niveau: Hoge spanning
  • Functie: lichtgevoelig, Darlington Buis, Vermogen Triode, Schakelen Triode
  • Structuur: PNP
  • Characteristic: High Blocking Voltage, High Frequency Operation, L
Contact Opnemen
Premium 2-6 Inch Undoped GaN Wafer voor Vermogensapparaten
Premium 2-6 Inch Undoped GaN Wafer voor Vermogensapparaten
FOB-prijs: US$110,00-350,00 / piece
Minimale Bestelling: 25 piece
  • Formule: 4h
  • Specificatie: GaN-FS-C-U-C50
  • Handelsmerk: HC
  • Oorsprong: China
Contact Opnemen
4-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt) LED China
4-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt) LED China
FOB-prijs: US$10,00-30,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Applicatie: Diode, Vermogenselektronische componenten
  • Certificering: CCC, CE, RoHS
  • Size: Ф 100 ± 0.3 mm
  • Thickness: 650 ± 50μm
  • Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
  • Ttv: ≤ 30μm
Contact Opnemen
2-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt)
2-Inch Zelfondersteunende GaN Wafer (onbewerkt)
FOB-prijs: US$10,00-30,00 / piece
Minimale Bestelling: 10 piece
  • Size: Ф 50.8 ± 1 mm
  • Thickness: 350 ± 25 μm
  • Resistivity 300K: < 0.5 Ω*Cm
  • Ttv: ≤ 15 μm
  • Specificatie: GaN-FS-C-U-C50
  • Oorsprong: China
Contact Opnemen
Professionele Fabricage Goed Ontworpen Nieuwe Aangepaste Siliciumcarbide Epitaxiale Schijf
Professionele Fabricage Goed Ontworpen Nieuwe Aangepaste Siliciumcarbide Epitaxiale Schijf
FOB-prijs: US$385,00-460,00 / piece
Minimale Bestelling: 3 piece
  • Epitaxial Layer Thickness: Less Than 0.5%
  • Epitaxial Layer Carrier Concentration: Less Than 1.5%
  • Bipolar Device Level: N-Doped (N-Type) or Al-Doped (P-Type) Epitaxial Wa
  • Thick Film Epitaxial Wafer: 30~200um
  • Epitaxial Wafer Type: Sbd-Level, Mosfet Level
  • Specificatie: 6Inch
Contact Opnemen
1 2 Volgend
Contact Opnemen

Hangzhou HCJingRui Technology Co., Ltd.

Zhejiang, China

Laatste inLogdatum: Aug 04, 2025

Soort bedrijf: Fabrikant/fabriek, Handelsbedrijf

Hoofd Producten: Sic/Saffier/GaN/Si Substraat & Epitaxie, 6n Sic Poeder, Siliciumcarbide Ingot Saffier Ingot, Sic Snijdisk, Testen, Aangepaste Verwerking, Schijven, Chips, Siliciumcarbide Vermogensapparaten etc

Kom Meer te Weten

Gerelateerde categorieën

Over Ons Verklaring Gebruikersovereenkomst Privacybeleid Neem contact op met Made-in-China.com Topproducten Inzichten
Taal Opties: English 简体中文 繁體中文 日本語 Français Español Deutsch Português Italiano Русский язык 한국어 العربية Nederlands हिन्दी ภาษาไทย Türkçe Tiếng Việt Bahasa Indonesia
Copyright ©2025Focus Technology Co., Ltd. Alle rechten voorbehouden
Focus is niet verantwoordelijk voor het inhoudelijke verschil van de website tussen de Engelse versie en andere taalversies. In geval van discrepantie tussen verschillende talenversies, zal de Engelse versie voorrang hebben . Door gebruik te maken van deze Website aanvaardt en erkent U zonder enig voorbehoud onze gebruiksvoorwaarden.